Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Fabrication of GaAs nanowires and GaAs-Si axial heterostructure nanowires on Si (100) substrate for new applications

Résumé

The integration of III-V semiconductor nanowires on Si for nanoelectronics or nanophotonics devices is still a challenge. The monolithic integration of GaAs nanowires on silicon (100) by top-down approach enables new possibilities for the design and devices fabrication. We demonstrate the fabrication of GaAs-Si(100) nanowires array by plasma etching.

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hal-01415380 , version 1 (13-12-2016)

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  • HAL Id : hal-01415380 , version 1

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Aurélie Lecestre, Nicolas Mallet, Mickaël Martin, Thierry Baron, Guilhem Larrieu. Fabrication of GaAs nanowires and GaAs-Si axial heterostructure nanowires on Si (100) substrate for new applications. IEEE NMDC 2016, Oct 2016, Toulouse, France. ⟨hal-01415380⟩
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