Etude des défauts induits par recuit laser excimer sur silicium - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes Access content directly
Conference Papers Year : 2017

Etude des défauts induits par recuit laser excimer sur silicium

Abstract

Le recuit par laser (LTA) est une technique bien adaptée pour la réalisation de jonctions ultra minces et ultra dopées. En effet, ce type de recuit est très prometteur car il permet une très forte activation des dopants de manière localisée (en surface et en profondeur) et une distribution uniforme des dopants.
JNRDM_Etude_des_defauts_induits_par_recuit_laser_excimer_sur_silicium.pdf (366.81 Ko) Télécharger le fichier
Origin : Files produced by the author(s)

Dates and versions

hal-01690886 , version 1 (23-01-2018)

Identifiers

  • HAL Id : hal-01690886 , version 1

Cite

Richard Monflier, Amin Benyoucef, Mégane Turpin, Fuccio Cristiano, Eléna Bedel-Pereira. Etude des défauts induits par recuit laser excimer sur silicium. 20èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique (JNRDM 2017), Nov 2017, Strasbourg, France. 1p. ⟨hal-01690886⟩
69 View
9 Download

Share

Gmail Facebook X LinkedIn More