On the Bi diffusion from (001) GaAsBi−GaAs quantum wells during high temperature annealing - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

On the Bi diffusion from (001) GaAsBi−GaAs quantum wells during high temperature annealing

Tiantian Zhang
  • Fonction : Auteur
Chantal Fontaine
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01947318 , version 1 (06-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01947318 , version 1

Citer

Alexandre Arnoult, Aurélien Kuck, Hajer Makhloufi, Poonyasiri Boonpeng, Simone Mazzucato, et al.. On the Bi diffusion from (001) GaAsBi−GaAs quantum wells during high temperature annealing. 5th international workshop on bismuth−containing semiconductors, Prof. Eoin O' Reilly, Jul 2014, Cork, Ireland. ⟨hal-01947318⟩
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