Growth and properties of GaAsBi thin layers by molecular beam epitaxy - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Poster Année : 2016

Growth and properties of GaAsBi thin layers by molecular beam epitaxy

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Matériaux Optique / photonique

Chantal Fontaine  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://laas.hal.science/hal-01947425

Soumis le : jeudi 6 décembre 2018-17:37:33

Dernière modification le : mercredi 10 juillet 2024-16:18:03

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Dates et versions

hal-01947425 , version 1 (06-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01947425 , version 1

Citer

Chantal Fontaine, Alexandre Arnoult, Fuccio Cristiano, Hélène Carrère, Sawsen Azaizia, et al.. Growth and properties of GaAsBi thin layers by molecular beam epitaxy. International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, Jul 2016, Shanghai, China. 2016. ⟨hal-01947425⟩

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