Characterization of sub-10nm-scale capacitors and tunnel junctions by SMM coupled to RF interferometry - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Characterization of sub-10nm-scale capacitors and tunnel junctions by SMM coupled to RF interferometry

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Bernard Legrand  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://laas.hal.science/hal-01962209

Soumis le : jeudi 20 décembre 2018-14:35:01

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-01962209 , version 1 (20-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01962209 , version 1

Citer

Fei Wang, Damien Ducatteau, David Troadec, Hassan Tanbakuchi, Bernard Legrand, et al.. Characterization of sub-10nm-scale capacitors and tunnel junctions by SMM coupled to RF interferometry. European Conference on Electrical Measurements at the Nanoscale Using AFM, Jun 2014, Cambridge, United Kingdom. ⟨hal-01962209⟩

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