Oxydation sélective contrôlée de semiconducteurs III-V pour les composants photoniques
Résumé
L'oxydation latérale sélective des semiconducteurs III-V présentant une forte teneur en aluminium est une étape technologique généralement utilisée pour la fabrication des lasers à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) et des composants d'optique guidée. Dans les deux cas, à partir de mésas gravés, cette transformation sélective d'une couche enterrée de semiconducteur en isolant d'indice de réfraction faible (n~1.6) permet de définir un confinement optique dont les propriétés sont intrinsèquement liées à la forme latérale de l'interface entre le semiconducteur et l'oxyde (couramment appelée diaphragme AlOx) et à sa position verticale dans l'empilement considéré.
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
|---|
Loading...