Degradation study of InGaAsN PIN solar cell under 1 MeV electrons irradiation - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 2021

Degradation study of InGaAsN PIN solar cell under 1 MeV electrons irradiation

Maxime Levillayer
DPHY, ONERA, Université de Toulouse [Toulouse]
Équipe Photonique
Sophie Duzellier
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1078487
DPHY, ONERA, Université de Toulouse [Toulouse]
I. Massiot
Équipe Photonique
Thierry Nuns
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1078488
DPHY, ONERA, Université de Toulouse [Toulouse]
Christophe Inguimbert
DPHY, ONERA, Université de Toulouse [Toulouse]
Corinne Aicardi
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1078489
Centre National d'Études Spatiales [Toulouse]
S. Parola
Institut d’Electronique et des Systèmes
Micro électronique, Composants, Systèmes, Efficacité Energétique
Énergie
Matériaux
CV
François Olivié
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 831039
Équipe MICrosystèmes d'Analyse
Richard Monflier
Service Instrumentation Conception Caractérisation
Romain Rey
  • Fonction : Auteur
DPHY, ONERA, Université de Toulouse [Toulouse]
Claude Pons
  • Fonction : Auteur
DPHY, ONERA, Université de Toulouse [Toulouse]
Guilhem Almuneau
Équipe Photonique
Laurent Artola
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1081893
DPHY, ONERA, Université de Toulouse [Toulouse]

Résumé

The degradation of InGaAsN pin subcell under 1 MeV electrons irradiation was studied by characterizing solar cells and dilute nitride bulk layers before and after irradiation. Cells are measured to retain more than 94 % of their original photocurrent after 10 15 cm-2 1 MeV-electrons irradiation. Moreover, no significant degradation of the optoelectronic properties is observed after irradiation.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux Optique / photonique
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Guilhem Almuneau  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://laas.hal.science/hal-03012605

Soumis le : mercredi 18 novembre 2020-16:06:57

Dernière modification le : jeudi 7 novembre 2024-16:14:04

Archivage à long terme le : vendredi 19 février 2021-20:12:55

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Dates et versions

hal-03012605 , version 1 (18-11-2020)

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Citer

Maxime Levillayer, Sophie Duzellier, I. Massiot, Thierry Nuns, Christophe Inguimbert, et al.. Degradation study of InGaAsN PIN solar cell under 1 MeV electrons irradiation. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2021, 68 (8), pp.1694 - 1700. ⟨10.1109/TNS.2021.3068044⟩. ⟨hal-03012605⟩

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