Dépôt chimique en phase vapeur assistée par plasma de couches minces d'oxyde de silicium dans les technologies des semi-conducteurs et des MEMS - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Dépôt chimique en phase vapeur assistée par plasma de couches minces d'oxyde de silicium dans les technologies des semi-conducteurs et des MEMS

Résumé

Le dépôt d'oxyde de silicium comme diélectrique par CCPECVD sous forme de couches minces de 10nm jusqu'à 10µm en superstrat pour des applications nano et micro-technologies.
Dépôt PECVD SiO2-Journées Renatech Dépôts 2022 (1).pdf (1.2 Mo) Télécharger le fichier
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Dates et versions

hal-04047204 , version 1 (26-04-2023)

Licence

Identifiants

  • HAL Id : hal-04047204 , version 1

Citer

Pascal Dubreuil. Dépôt chimique en phase vapeur assistée par plasma de couches minces d'oxyde de silicium dans les technologies des semi-conducteurs et des MEMS. Journées RENATECH Dépôts, Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies et Institut FOTON, Oct 2022, RENNES, France. ⟨hal-04047204⟩
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