Development of O2 plasma etching for the fabrication of diamond power devices
Développement de la gravure plasma O2 pour la réalisation de composants de puissance diamant
Résumé
The ANR MOVeToDIAM project aims to produce TMBS diodes and vertical P-channel MOSFET transistors with a U-shaped gate on diamond material. This requires mastery of key technological steps such as RIE-ICP dry etching to form the mesa structure of the TMBS diode and to open the gate of the MOSFET transistor. Here we present the work done to optimise the dry etching of Oxygen-based diamond.
Le projet ANR MOVeToDIAM vise la réalisation de diodes TMBS et de transistors MOSFET verticaux à canal P et à grille en U sur diamant. Cela nécessite la maîtrise d'étapes technologiques clés comme la gravure sèche RIE-ICP pour former la structure mesa de la diode TMBS et pour l'ouverture de la grille du transistor MOSFET. Nous présentons ici les travaux d'optimisation de la gravure sèche du diamant à base d'Oxygène.
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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