Simulation multiéchelle pour la microélectronique sous radiation : du matériau au circuit - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Chocs Année : 2023

Multiscale simulation for microelectronics under radiation: from material to circuit level

Simulation multiéchelle pour la microélectronique sous radiation : du matériau au circuit

Nicolas Richard
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1139471
Damien Lambert
Neil Rostand
  • Fonction : Auteur
J. Lomonaco
  • Fonction : Auteur
Julien Parize
  • Fonction : Auteur
G. Charbonnier
  • Fonction : Auteur
Thomas Jarrin
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1105297
Chloé Simha
Mélanie Raine
Layla Martin-Samos

Résumé

In order to better understand and master the fundamental phenomena taking place in electronic components submitted to a radiation environment, the CEA – DAM has been developing for several years a multiscale and multiphysics numerical simulation approach, ranging from the interaction between ionizing radiation and material up to its effects on complex electronic circuits. This approach takes advantage of the increasing power of CEA – DAM supercomputers, the development of new models of physics and collaborations with the best French and foreign laboratories in the field. It provides valuable support to CEA – DAM engineers for the development of radiation hardened integrated circuits by providing them physical data to improve their models and facilitates the integration of new generations of components. This article details this approach by giving examples of results at each scale.
Afin de mieux comprendre et maîtriser les phénomènes fondamentaux se déroulant dans les composants électroniques soumis à un environnement radiatif, le CEA – DAM a mis en place depuis plusieurs années une approche multiéchelle et multiphysique de simulation numérique allant de l’interaction entre le rayonnement ionisant et le matériau jusqu’à ses conséquences dans des circuits électroniques complexes. Cette approche tire profit de l’augmentation de la puissance des supercalculateurs du CEA – DAM, du développement de nouveaux modèles, à la pointe de la physique, et de collaborations avec les meilleurs laboratoires français et étrangers dans le domaine. Elle apporte une aide précieuse aux ingénieurs du CEA – DAM pour le développement des circuits intégrés durcis aux radiations, en leur fournissant des données physiques pour améliorer leurs modèles de conception et facilite l’intégration de nouvelles générations de composants. Cet article décrit cette approche en donnant des exemples de résultats pour chacune des échelles.
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Origine : Accord explicite pour ce dépôt

Dates et versions

hal-04486870 , version 1 (24-04-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04486870 , version 1

Citer

Nicolas Richard, Damien Lambert, Neil Rostand, J. Lomonaco, Julien Parize, et al.. Simulation multiéchelle pour la microélectronique sous radiation : du matériau au circuit. Chocs, 2023, 53, pp.15. ⟨hal-04486870⟩
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