TCAD modeling and simulation of self-limiting oxide growth and boron segregation during vertical silicon nanowire processing - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2024

TCAD modeling and simulation of self-limiting oxide growth and boron segregation during vertical silicon nanowire processing

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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https://laas.hal.science/hal-04639888

Soumis le : mardi 9 juillet 2024-12:50:21

Dernière modification le : vendredi 12 juillet 2024-14:19:28

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hal-04639888 , version 1 (09-07-2024)

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Citer

Chiara Rossi, Jonas Müller, Peter Pichler, Paweł Piotr Michałowski, Guilhem Larrieu. TCAD modeling and simulation of self-limiting oxide growth and boron segregation during vertical silicon nanowire processing. Materials Science in Semiconductor Processing, 2024, 174, pp.108217. ⟨10.1016/j.mssp.2024.108217⟩. ⟨hal-04639888⟩

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