Mesures in-situ combinées en Épitaxie par jet moléculaire : Cas de l’AlGaAs à température de croissance
Résumé
La mesure in-situ et en temps réel des vitesses de croissance et des propriétés optique, électronique et structurale des matériaux semi-conducteurs est un élément clé pour contrôler plus précisément l'épitaxie de structures multicouches complexes, tels que les lasers à cavité verticales (VCSEL) ou les cellules solaires à multi-jonction (MJSC). Cependant, aucun outil générique et efficace n'a été mis en œuvre à ce jour pour contrôler ces épitaxies d'hétérostructures en temps réel [1-3].
Domaines
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