Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Mesures in-situ combinées en Épitaxie par jet moléculaire : Cas de l’AlGaAs à température de croissance

Résumé

La mesure in-situ et en temps réel des vitesses de croissance et des propriétés optique, électronique et structurale des matériaux semi-conducteurs est un élément clé pour contrôler plus précisément l'épitaxie de structures multicouches complexes, tels que les lasers à cavité verticales (VCSEL) ou les cellules solaires à multi-jonction (MJSC). Cependant, aucun outil générique et efficace n'a été mis en œuvre à ce jour pour contrôler ces épitaxies d'hétérostructures en temps réel [1-3].

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hal-04768600 , version 1 (09-07-2025)

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  • HAL Id : hal-04768600 , version 1

Citer

Pierre Gadras, Karim Ben Saddik, Léo Bourdon, Quentin Gravelier, Alexandre Arnoult, et al.. Mesures in-situ combinées en Épitaxie par jet moléculaire : Cas de l’AlGaAs à température de croissance. Journées Nationales de Micro- et Optoélectronique, Oct 2024, Sète (FR), France. ⟨hal-04768600⟩
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