Poster Année : 2025

Diode PIN verticale sur diamant (100) autosupporté à base de couches i et n dopées phosphore

Résumé

Cet article présente la réalisation et la caractérisation de diodes bipolaires n + -i-p + en diamant sur substrat autosupporté (100) caractérisées électriquement jusqu'à 600 °C sous vide à l'aide d'un équipement unique en France. Les résultats obtenus mettent en évidence la faisabilité et les performances prometteuses des diodes PIN en diamant pour des applications en électronique de puissance.

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Dates et versions

hal-05153567 , version 1 (09-07-2025)

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  • HAL Id : hal-05153567 , version 1

Citer

Florent Sevely, Rachel Grosset-Darracq, Karine Isoird, Josiane Tasselli, Mohamed Bouras, et al.. Diode PIN verticale sur diamant (100) autosupporté à base de couches i et n dopées phosphore. Symposium de Génie Électrique SGE 2025, Jul 2025, TOULOUSE, France. 2025. ⟨hal-05153567⟩
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