Diode PIN verticale sur diamant (100) autosupporté à base de couches i et n dopées phosphore
Résumé
Cet article présente la réalisation et la caractérisation de diodes bipolaires n + -i-p + en diamant sur substrat autosupporté (100) caractérisées électriquement jusqu'à 600 °C sous vide à l'aide d'un équipement unique en France. Les résultats obtenus mettent en évidence la faisabilité et les performances prometteuses des diodes PIN en diamant pour des applications en électronique de puissance.
Fichier principal
2025_06_23 SGE_2025_Poster.pdf (1.21 Mo)
Télécharger le fichier
FULL_Diode PIN verticale sur diamant 100 autosupporté avec couche n dopée phosphore-V2.pdf (3.61 Mo)
Télécharger le fichier
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
|---|---|
| Licence |
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
|---|---|
| Licence |