Ingénierie des lasers à solide utilisant des nouveaux matériaux semiconducteurs - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes Accéder directement au contenu
Hdr Année : 2015

Ingénierie des lasers à solide utilisant des nouveaux matériaux semiconducteurs

Résumé

Ce manuscrit décrit les contributions que j’ai pu apporter et que je compte mener dans le domaine de recherche portant sur le développement de sources lasers à solide exploitant nouveaux matériaux semiconducteurs. Plus spécifiquement, je résume l’activité menée à l’University de Strathclyde sur les lasers à cavité verticale (étendue) émettant par la surface et les amplificateurs optiques à base de nitrures dilués, le développement de miroirs à absorbant saturable controlables pour les oscillateurs femto-secondes fonctionnant dans la gamme de longueurs d’onde allant de 1,2 à 2,2 μm ainsi que les travaux sur l’utilisation évolutive du diamant dans les lasers pour des fonctions de dissipation thermique ou d’utilisation en tant qu’élément d’optique passive. Enfin, je présente les travaux initiés depuis 2012 au LAAS qui portent sur les résonateurs à modes de galerie et les réseaux sub-longueur d’onde et dont la finalité est la réalisation d’oscillateurs paramétriques optiques tout intégrés.
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  • HAL Id : tel-04433214 , version 1

Citer

Stéphane Calvez. Ingénierie des lasers à solide utilisant des nouveaux matériaux semiconducteurs. Optique / photonique. Université Paul Sabatier de Toulouse, 2015. ⟨tel-04433214⟩
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