Fabrication de réseaux de nanofils verticaux de GaAs sur substrat en Si(100) par une approche descendante
Résumé
Les nanofils (NFs) III-V suscitent un intérêt particulier de par leur fort potentiel dans des domaines variés
tels que la nanoélectronique, la nanophotonique ou les capteurs biologiques. Afin de favoriser son
intégration grande échelle, de nombreux travaux ont démontré des synthèses de nanofils III-V sur silicium par
croissance catalytique de type Vapeur Liquide Solide (VLS). Néanmoins ces approches sont toujours
confrontées à des problèmes de reproductibilités (rendement de fils dans la même direction verticale,
dispersion de diamètres..) et de miniaturisations (diamètre de NFs et espacement inter fils). De plus, elles
utilisent des substrats de silicium à direction cristalline particulière, Si(111).
Dans ce papier, nous présenterons une approche alternative, utilisant un procédé « top-down » pour
fabriquer des réseaux de nanofils verticaux en GaAs sur un substrat Si (100).
Domaines
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