New Technological advances for microshielded coplanar circuits on silicon - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Communication Dans Un Congrès Année : 1999

New Technological advances for microshielded coplanar circuits on silicon

Résumé

An advanced technological process for microwave coplanar circuits on silicon oxide/nitride membrane is presented. This process allows to make thick conductors with high geometric definition. Furthermore, it permits to realise microshielded circuits with minimised losses in the access ports.

Mots clés

Silicon technology microwaves

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Dates et versions

hal-02170319 , version 1 (01-07-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02170319 , version 1

Citer

E Saint Etienne, G Blasquez, Patrick Pons, Robert Plana, C Douziech, et al.. New Technological advances for microshielded coplanar circuits on silicon. Micro Mechanics Europe (MME1999), Sep 1999, Gif-sur-Yvette, France. pp.109-111. ⟨hal-02170319⟩

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