Design and Fabrication of AlGaN/GaN normally-off HEMTs - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes Accéder directement au contenu
Poster Année : 2023

Design and Fabrication of AlGaN/GaN normally-off HEMTs

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03934236 , version 1 (11-01-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03934236 , version 1

Citer

Daniel Rouly, Josiane Tasselli, Patrick Austin, Karine Isoird, Frédéric Morancho. Design and Fabrication of AlGaN/GaN normally-off HEMTs. 10th IRP NextPV International workshop, Jan 2023, Toulouse, France. ⟨hal-03934236⟩
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