Dépôt chimique en phase vapeur assistée par plasma de couches minces d'oxyde de silicium dans les technologies des semi-conducteurs et des MEMS
Résumé
Le dépôt d'oxyde de silicium comme diélectrique par CCPECVD sous forme de couches minces de 10nm jusqu'à 10µm en superstrat pour des applications nano et micro-technologies.
Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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