Understanding and control of the formation of metallic nanoscale silicide contacts on vertical nanostructured channel for advanced 3D nanoelectronics devices: from Si to high mobility materials - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Communication Dans Un Congrès Année : 2024

Understanding and control of the formation of metallic nanoscale silicide contacts on vertical nanostructured channel for advanced 3D nanoelectronics devices: from Si to high mobility materials

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique Matériaux

Jonas Müller  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://laas.hal.science/hal-04714304

Soumis le : lundi 30 septembre 2024-11:38:14

Dernière modification le : jeudi 10 octobre 2024-17:09:01

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04714304 , version 1 (30-09-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04714304 , version 1

Citer

Jonas Müller, Nicolas Mallet, Rémi Demoulin, Leonardo Cancellara, Aurélie Lecestre, et al.. Understanding and control of the formation of metallic nanoscale silicide contacts on vertical nanostructured channel for advanced 3D nanoelectronics devices: from Si to high mobility materials. E-MRS Fall 2024, Sep 2024, Warsaw, Poland. ⟨hal-04714304⟩

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