Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type P - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type P

Résumé

Des contacts ohmiques de très bonne qualité électriques et des capacités MIS fonctionnelles sur diamant de type P sont des briques technologiques fondamentales pour envisager la fabrication de composants MOS diamant. La technique de caractérisation des contacts ohmiques par TLM circulaire a été validée et des diodes MIS ont donc été fabriquées. Même si des optimisations sont encore nécessaires, les résultats présentés permettent d'envisager la fabrication d'un démonstrateur de type diode P-TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) en diamant.
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Abstract SGE Fontaine Lya.pdf (2.28 Mo) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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Dates et versions

hal-02918490 , version 1 (20-08-2020)
hal-02918490 , version 2 (27-09-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02918490 , version 1

Citer

Lya Fontaine, Karine Isoird, Josiane Tasselli, Patrick Austin, Alain Cazarré, et al.. Développement de briques technologiques pour la fabrication de composants MOS diamant : contacts ohmiques et capacités MIS sur diamant de type P. SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France. ⟨hal-02918490v1⟩
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