Top-Down Fabrication of Vertical Nanostructured Channel Arrays on SiGe for Future Nanoelectronics Applications - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Top-Down Fabrication of Vertical Nanostructured Channel Arrays on SiGe for Future Nanoelectronics Applications

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MNE-2022_Abstract_Fabrication of vertical nanostructured channel arrays on SiGe.pdf (362.56 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03771503 , version 1 (29-01-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03771503 , version 1

Citer

Jonas Müller, Aurélie Lecestre, Rémi Demoulin, Fuccio Cristiano, J. M. Hartmann, et al.. Top-Down Fabrication of Vertical Nanostructured Channel Arrays on SiGe for Future Nanoelectronics Applications. MNE Eurosensors 2022, Sep 2022, Leuven, Belgium. ⟨hal-03771503⟩
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