Top-Down Fabrication of Vertical Nanostructured Channel Arrays on SiGe for Future Nanoelectronics Applications - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Top-Down Fabrication of Vertical Nanostructured Channel Arrays on SiGe for Future Nanoelectronics Applications

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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https://laas.hal.science/hal-03771503

Soumis le : lundi 29 janvier 2024-12:05:11

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Archivage à long terme le : jeudi 31 octobre 2024-11:02:06

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Dates et versions

hal-03771503 , version 1 (29-01-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03771503 , version 1

Citer

Jonas Müller, Aurélie Lecestre, Rémi Demoulin, Fuccio Cristiano, J. M. Hartmann, et al.. Top-Down Fabrication of Vertical Nanostructured Channel Arrays on SiGe for Future Nanoelectronics Applications. MNE Eurosensors 2022, Sep 2022, Leuven, Belgium. ⟨hal-03771503⟩

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