Advances in top-down fabrication and processing of vertical SiGe nanowire arrays for future nanoelectronics applications - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Advances in top-down fabrication and processing of vertical SiGe nanowire arrays for future nanoelectronics applications

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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https://laas.hal.science/hal-03771519

Soumis le : vendredi 21 octobre 2022-15:49:37

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

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Dates et versions

hal-03771519 , version 1 (21-10-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03771519 , version 1

Citer

Jonas Müller, Aurélie Lecestre, Rémi Demoulin, Fuccio Cristiano, J. M. Hartmann, et al.. Advances in top-down fabrication and processing of vertical SiGe nanowire arrays for future nanoelectronics applications. J2N 2022 - Journées Nationales Nanofils semiconducteurs, Sep 2022, Nice, France. ⟨hal-03771519⟩

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