Protocole d'utilisation de l’équipement ICPECVD Plasmalab 100 Oxford pour les dépôts de SiOx :H, SiNx :H. - LAAS - Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes Accéder directement au contenu
Rapport Technique Année : 2023

Protocole d'utilisation de l’équipement ICPECVD Plasmalab 100 Oxford pour les dépôts de SiOx :H, SiNx :H.

Résumé

Low-pressure cold plasma-assisted chemical vapor deposition (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) consists of depositing dielectric materials in thin layers on a solid substrate such as silicon, glass or gallium arsenide, for example. Among the different PECVD techniques, the ICP-CVD (Inductively Coupled Plasma CVD) technique used in the LAAS clean room, for the main dielectric materials SiNx:H, SiOx:H, at low temperature (<100°C). The technical instructions for using the PlasmaLab System 100 equipment from the Oxford company are provided in this technical report.
Les dépôts chimiques en phase vapeur assistés par plasma froids à basse pression (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) consistent à réaliser des dépôts de matériaux diélectriques en couches minces sur un substrat solide tel que le silicium, le verre ou l’arséniure de gallium, pour exemples. Parmi les différentes techniques PECVD, la technique ICP-CVD (Inductively Coupled Plasma CVD) utilisée dans la salle blanche du LAAS, pour les principaux matériaux diélectriques SiNx :H, SiOx :H, à basse température (<100°C). La notice technique d'utilisation de l'équipement PlasmaLab System 100 de la société Oxford est fournie dans ce rapport technique.
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Notice d'utilisation ICPECVD-novembre2023.pdf (2.06 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04290976 , version 1 (17-11-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04290976 , version 1

Citer

Jean-Christophe Marrot, Pascal Dubreuil, Éric Imbernon. Protocole d'utilisation de l’équipement ICPECVD Plasmalab 100 Oxford pour les dépôts de SiOx :H, SiNx :H.. Rapport LAAS n° 23472. 2023. ⟨hal-04290976⟩
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