Avec l’émergence de dispositifs électroniques flexibles, du photovoltaïque, la demande a augmenté pour des dépôts dont l’épaisseur doit être finement contrôlée pour l’encapsulation/enrobage, la passivation et une couche barrière limitant l’injection des porteurs. Pour ces raisons, le dépôt de couche(s) atomique(s) (ALD) est largement implantée dans les laboratoires et structures R&D qui développent de nouveaux matériaux et procédés. La technique ALD ou ALCVD est une technique récente dérivée du dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ce procédé de dépôt est basé sur l’introduction séquentielle de précurseurs, ce qui permet d’élaborer le matériau monocouche par monocouche et rend la croissance auto-limitante et contrôlée par la surface; contrairement à la technique CVD où l’interaction entre le flux d’un mélange de gaz et un substrat chauffé conduit à la croissance d’une couche mince. Dans le cas d’une croissance CVD idéale, il n’y a pas de réactions des gaz entre eux (pas de réaction homogène), ils interagissent à la surface du substrat où ils forment un film solide par réaction hétérogène. Le substrat doit donc avoir une température suffisante pour permettre à la réaction de surface de se produire. L'équipement est présenté, ainsi que la procédure d'un dépôt Al2O3 pour plusieurs cycles de dépôt à différentes températures.