Les travaux présentés dans cette habilitation traitent de l’intégration des circuits micro-ondes et millimétriques. Ils s’inscrivent dans une tendance mondiale dont les enjeux principaux sont l’amélioration des performances, la miniaturisation, la baisse de la consommation électrique des circuits ainsi que la maîtrise des coûts. Notre activité de recherche porte donc tout naturellement à la fois sur l’intégration des circuits actifs et des composants passifs. Le premier exemple évoqué propose quelques pistes de travail visant à optimiser les performances en bruit des amplificateurs de puissance intégrés dont le fonctionnement non-linéaire tend à transposer les sources de bruit BF vers les fréquences micro-ondes. Nous proposons ensuite d’employer le mélangeur passif à transistors MOS pour répondre aux besoins de plus en plus forts qui s’expriment en direction des architectures radio flexibles et reconfigurables. Les optimisations effectuées au niveau de la géométrie du composant et de la topologie du circuit repoussent significativement les fréquences limites de fonctionnement (bandes V et W) grâce à la mise en œuvre de techniques d’échantillonnage et de sous-échantillonnage qui réduisent également les pertes de conversions. Enfin, la microélectronique fonctionne essentiellement à deux dimensions depuis son apparition en procédant à un empilement de couches métalliques. Depuis quelque années, nous étudions une approche originale qui vise à dégager un degré de liberté supplémentaire en permettant la métallisation des flancs d’un pilier de résine. Cette innovation, qui a été brevetée, autorise la fabrication de composants passifs en trois dimensions (3D), tels que des solénoïdes et des transformateurs RF, pour un coût très faible. Les améliorations successives du procédé ont permis d’aboutir à des composants extrêmement compacts avec des performances qui se situent actuellement au niveau de l’état de l’art.